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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	15 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	80 mA
输出功率	7.2 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	8.9 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113799

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TAT7430B-T1	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Drop amp/gp gain 5V 75 Ohm 1002 MHz	1,000:¥25.9674 3,000:¥20.7468 5,000:¥17.289	参考库存:43045
EM357-ZRTR	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC IEEE 802.15.4 2.4GHz SoC	2,000:¥38.42	参考库存:43050
SPS1M001A-01	ON Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	RFID应答器 BATT FREE WIRELESS SENSOR TAG - MOISTRE	1,000:¥56.2514	参考库存:296955
PH3134-20L	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管	10:¥1,974.0987 30:¥1,902.9426	参考库存:43057
RFFM4552SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 5GHz WiFi FEM	100:¥16.5997	参考库存:43062