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无线和射频半导体
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BLV32F

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数量单价合计
1
¥734.8164
734.8164
10
¥674.271
6742.71
25
¥605.115
15127.875
50
¥535.959
26797.95
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
32 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
4 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
316-01
封装
Tray
工作频率
224 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
82 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC8402
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 Die Sales
暂无价格
参考库存:39976
MAX5419LETA+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
数字电位计 IC 256-Tap, Nonvolatile, I C-Interface, Digital Potentiometers
1:¥24.0464
25:¥22.9729
50:¥21.6734
100:¥19.7524
2,000:¥19.5151
参考库存:1864
MMA025AA
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暂无价格
参考库存:39983
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1:¥34.578
250:¥31.7304
500:¥27.6624
1,000:¥23.052
2,500:¥18.4416
参考库存:39988
MMA027AA
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频放大器 DC-30GHZ MMIC Low-Noise Amplifier
暂无价格
参考库存:39993

  • 海量现货

    50万现货SKU

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