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无线和射频半导体

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MMRF5300NR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2700-3500 MHz, 60 W PEAK, 50V WIDEBAND RF POWER GaN TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥1,807.8192
1807.8192
5
¥1,767.4782
8837.391
10
¥1,731.3634
17313.634
25
¥1,705.7689
42644.2225
50
¥1,643.8336
82191.68
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN
Id-连续漏极电流
70 mA
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
17 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
2.7 GHz to 3.5 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
105.3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
零件号别名
935322537528
单位重量
554.700 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
1:¥2,145.4519
5:¥2,097.5738
10:¥2,054.6225
25:¥2,024.3498
50:¥1,950.8094
参考库存:5582
无线和射频半导体
射频前端 Contactless ReaderIC
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥24.0464
250:¥22.826
参考库存:37634
无线和射频半导体
衰减器 50-6000GHz 3.3V IN 1dB 30dBm
1:¥59.0877
25:¥45.2565
100:¥35.4255
250:¥29.3574
2,500:¥20.2044
参考库存:6586
无线和射频半导体
射频前端 2GHz 24dBm 5V 11ac FEM with RX filter po
1:¥23.7413
10:¥21.357
25:¥19.2891
50:¥18.2834
4,500:¥11.8311
参考库存:26793
无线和射频半导体
射频放大器 0.6-4.2 GHz Low Noise Amplifier
1:¥35.1204
25:¥26.894
100:¥20.9728
250:¥17.3681
2,500:¥13.673
参考库存:13345
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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