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无线和射频半导体
STAC150V2-350E参考图片

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STAC150V2-350E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Transistor 40.68 MHz 700V
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 uA
Vds-漏源极击穿电压
700 V
增益
17 dB
输出功率
500 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC177B
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
40.68 MHz
系列
STAC150V2-350E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
400 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC305SLP4ETR
Analog Devices
无线和射频半导体
衰减器 5-bit attenuator with 2 dB bits
1:¥81.5295
10:¥74.919
25:¥71.8454
100:¥63.3139
500:¥58.9408
参考库存:4625
MRF392
MACOM
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥748.7267
10:¥701.9334
25:¥685.4919
50:¥669.1182
参考库存:3117
EFR32MG1B132F256GM48-C0R
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC, 2.4 GHz, 256 kB flash, 32 kB RAM, 16.5 dBm, QFN-48, mesh
1:¥45.3356
10:¥42.8044
25:¥41.5727
50:¥40.2619
2,500:¥33.9678
参考库存:15149
CGH27030S
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
1:¥404.1784
250:¥404.1784
参考库存:5716
SKY66100-11
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频前端 169-170MHz FEM Ip1dB 15dB IL .4dB
1:¥24.3628
10:¥21.7412
25:¥19.5942
100:¥17.8314
3,000:¥10.9836
参考库存:6423

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    50万现货SKU

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