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无线和射频半导体
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D2219UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-12.5V-1GHz SE
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数量单价合计
1
¥183.5685
183.5685
10
¥162.1324
1621.324
25
¥147.0695
3676.7375
50
¥130.9331
6546.655
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
2.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
配置
Single
高度
2.18 mm
长度
5.08 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
4.06 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 5 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGA2565-SM
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 11-17GHz Gain 27dB P1dB 27dBm
1:¥338.096
25:¥315.044
参考库存:3630
HMC-MDB172
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频混合器 GaAs MMIC I/Q mix, 19 - 33 GHz
50:¥342.5482
100:¥320.4228
250:¥309.4392
参考库存:3847
BGU7224X
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频放大器 2.4 GHz ISM SiGe:C low-noise amp
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
4,000:¥1.8758
参考库存:66354
BGA 524N6 E6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
15,000:¥1.921
参考库存:78476
ATSAMR21E18A-MUT
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU SAMR21 32pin 256K T&R
1:¥36.1148
10:¥35.5724
25:¥32.9621
5,000:¥30.8151
参考库存:4258

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