您好!欢迎来到万象现货芯城 登录 注册

产品分类

无线和射频半导体
MRF1004MB参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

MRF1004MB

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:53,684(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥571.5314
571.5314
10
¥524.433
5244.33
25
¥470.645
11766.125
50
¥416.857
20842.85
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
250 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
332A-03
封装
Tray
工作频率
1090 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
7 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 DC-45GHz 0.2W DISTRIBUTEDAMPLIFIER
暂无价格
参考库存:39884
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT MMIC Med pow amp, 81 - 86 GHz
暂无价格
参考库存:39889
无线和射频半导体
射频放大器 6-50GHz LOW NOISE AMPLIFIER
暂无价格
参考库存:39894
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 24-40 GHz
暂无价格
参考库存:39899
无线和射频半导体
数字电位计 IC Sngl 8B NV I2C POT
1:¥9.9101
10:¥9.7632
25:¥8.2942
100:¥7.5145
3,300:¥7.5145
参考库存:70702
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市仓实科技有限公司

电话:13267088774

Email: service@cangshixc.com

Q Q:

地址:深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦3104


微信联系我们

Copyright © 2026 深圳市仓实科技有限公司版权所有 粤ICP备2025417305号

24小时在线客服
热线电话

13267088774

微信联系我们 微信扫码联系我们