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无线和射频半导体
PD55015S-E参考图片

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PD55015S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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数量单价合计
1
¥156.9118
156.9118
5
¥155.2959
776.4795
10
¥144.7643
1447.643
25
¥138.2329
3455.8225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14 dB
输出功率
15 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55015-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.5 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
73 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz
1:¥31.1202
10:¥28.0466
100:¥22.9729
250:¥21.8203
500:¥19.5151
参考库存:6812
无线和射频半导体
射频混合器 mix, 1900MHz, BiCMOS
1:¥146.1542
10:¥134.3909
25:¥128.8652
100:¥113.4972
参考库存:4609
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-4GHz Hi Isolation Switch
1:¥46.7933
10:¥42.3411
50:¥40.341
100:¥35.0413
参考库存:6281
无线和射频半导体
射频放大器 10-400MHz NF 3.0dB Gain 15.8dB
1:¥1,291.138
参考库存:4348
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Bluetooth Low Energy 4.2 SoC with integrated ARM Cortex M0, memories and peripherals 24 GPIOs in QFN40 and 0.4mm pin pitch package
1:¥23.6622
10:¥18.984
100:¥17.289
250:¥15.594
参考库存:4685
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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