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无线和射频半导体
PD85025-E参考图片

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PD85025-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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数量单价合计
1
¥220.0675
220.0675
5
¥217.8414
1089.207
10
¥203.0158
2030.158
25
¥193.8628
4846.57
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
15.7 dB
输出功率
25 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
9.4 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85025-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
7.5 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAAD-000523-TR1000
MACOM
无线和射频半导体
衰减器 20 17
1:¥59.3928
10:¥53.4829
25:¥48.6352
100:¥44.0248
1,000:¥31.1202
参考库存:4709
N24RF64DWPT3G
ON Semiconductor
无线和射频半导体
RFID应答器 RFID 64 KB EEPROM
1:¥19.21
10:¥16.2946
100:¥13.0628
500:¥11.3678
3,000:¥8.7575
参考库存:17886
EZR32HG220F64R69G-B0
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 64 kB M0+,+13/+20 dBm EZRadioPRO, QFN48 MCU
1:¥29.5834
10:¥28.9732
25:¥28.4308
50:¥27.9675
参考库存:3338
QPA5263ASR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 DC-4.5GHz Gn 12.5dB NF 4.4dB
1:¥25.5832
25:¥19.2891
100:¥15.0629
参考库存:7750
MAX1471ATJ/V+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频接收器 315MHz/434MHz Low-Power, 3V/5V ASK/FSK Superheterodyne Receiver
1:¥22.1254
10:¥21.0519
25:¥17.289
50:¥16.7466
参考库存:3052

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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