HFA3135IHZ96原装正品_库存数量_PDF手册

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Renesas Electronics
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	HFA3135
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min	15
集电极—发射极最大电压 VCEO	11 V
发射极 - 基极电压 VEBO	4.5 V
集电极连续电流	0.026 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
配置	Dual
封装 / 箱体	SOT-23
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	12 V
直流电流增益 hFE 最大值	15 at 10 mA at 2 V, 151 mA at 2 V, 150.1 mA at 2 V, 1510 mA at 5 V, 151 mA at 5 V, 150.1 mA at 5 V
高度	1.15 mm
长度	2.9 mm
工作频率	7000 MHz (Typ)
类型	RF Bipolar Small Signal
宽度	1.6 mm
商标	Renesas / Intersil
增益带宽产品fT	7000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流	0.026 A
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	18 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RFPA0133TR7	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 380-960MHz Gain 32dB Pout 30dBm CW	1:¥47.8668 25:¥36.6572 100:¥28.6568 250:¥23.7413 2,500:¥16.3624	参考库存:135359
QPL9097TR7	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 3.3-4.2GHz NF 1.1dB Gain 22dB 3.3-5.0V	1:¥52.9405 25:¥40.567 100:¥31.6626 250:¥26.2047 2,500:¥20.5886	参考库存:16051
MRF300AN	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF300AN/SIL3///TUBE MULTIPLE NDP	1:¥273.7764 5:¥259.9452 10:¥255.493 25:¥231.5935	参考库存:6488
ADL5906ACPZN-R7	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频检测器 RMS TruPwr Detectors	1:¥90.2079 10:¥81.8346 25:¥76.9191 50:¥74.0715 1,500:¥61.5511	参考库存:12545
LMX2592RHAT	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL High Performance RF Synthesizer	1:¥267.5614 5:¥256.4874 10:¥246.7355 25:¥235.6728 250:¥200.9366	参考库存:9637