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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频前端
RoHS	是
类型	Radar
NF—噪声系数	12.7 dB
工作电源电压	1.8 V, 3.3 V
工作电源电流	190 mA
最大工作温度	+ 105 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LFCSP-72
资格	AEC-Q100
封装	Tray
系列	AD8283
商标	Analog Devices
增益	18 dB
最小工作温度	- 40 C
湿度敏感性	Yes
P1dB - 压缩点	9.8 dBm
产品类型	RF Front End
工厂包装数量	168
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
测试频率	2.5 MHz
单位重量	14 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HMC8401	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Die Sales	25:¥1,020.5934 50:¥1,014.288	参考库存:3736
TGA4532-SM	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 17.7-19.7GHz Pwr 32.5dBm NF 7dB	1:¥301.0546 25:¥255.9563 50:¥255.9563 100:¥218.3047 250:¥195.716 500:¥173.116	参考库存:3863
A35-1	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 2-2400MHz NF 4.2dB Gain 9.0dB	1:¥1,164.2051	参考库存:25917
HMC-APH462-SX	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 GaAs HEMT MMIC 1 Watt pow amp15-27GHz	2:¥1,664.2753 6:¥1,640.76 10:¥1,593.8876 26:¥1,511.827	参考库存:3970
A2T21H360-24SR6	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP	1:¥1,358.9154 5:¥1,328.5636 10:¥1,301.4436 25:¥1,282.1545 150:¥1,207.8457	参考库存:25924

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