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无线和射频半导体
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MHT1108NT1

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1108N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
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数量单价合计
1
¥89.9819
89.9819
10
¥82.7612
827.612
25
¥79.3034
1982.585
100
¥69.8453
6984.53
1,000
¥57.0198
57019.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
143 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.1 dB
输出功率
12.5 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-16
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2450 MHz
系列
MHT1108N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
Pd-功率耗散
32.9 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935337042515
单位重量
0.001 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
T1G2028536-FS
Qorvo
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
1:¥3,903.472
25:¥3,597.4228
参考库存:1422
ATBTLC1000A-MU-Y
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Smart BLE 4.1 ATBTLC1000
1:¥35.7306
10:¥31.8886
25:¥28.6568
50:¥28.3517
参考库存:6694
ADL5246ACPZN-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 VGLNA
1:¥121.023
10:¥109.8021
25:¥103.1916
50:¥99.3496
1,500:¥70.6137
参考库存:6876
CGHV27015S
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt
1:¥237.4356
250:¥237.4356
参考库存:1848
GRF3044
Guerrilla RF
无线和射频半导体
射频放大器 .1-11GHz GaAs Gain 16.6dB NF 1.8dB
1:¥32.2728
10:¥30.6569
100:¥28.2726
250:¥25.0521
2,500:¥10.8367
参考库存:11545

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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