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无线和射频半导体
MHT1108NT1参考图片

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MHT1108NT1

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1108N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
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1
¥89.9819
89.9819
10
¥82.7612
827.612
25
¥79.3034
1982.585
100
¥69.8453
6984.53
1,000
¥57.0198
57019.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
143 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.1 dB
输出功率
12.5 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-16
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2450 MHz
系列
MHT1108N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
Pd-功率耗散
32.9 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935337042515
单位重量
0.001 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1,000:¥60.2403
参考库存:52463
无线和射频半导体
PIN 二极管
100:¥57.1667
250:¥52.5563
500:¥47.9459
1,000:¥41.7196
参考库存:52468
无线和射频半导体
调谐器 TDA7708 AM/FM/HD-Radio automotive receiver - 64-pin QFN package
1,560:¥25.9674
3,120:¥25.0521
参考库存:52473
无线和射频半导体
PIN 二极管
30:¥246.2722
50:¥238.5882
100:¥230.9042
250:¥215.5362
参考库存:52478
无线和射频半导体
射频前端 802.11a/b/g/n/ac+ BT Front end module
2,500:¥24.5097
参考库存:52483
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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