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无线和射频半导体
PD57006S-E参考图片

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PD57006S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥124.4017
124.4017
10
¥114.4125
1144.125
25
¥109.6552
2741.38
100
¥96.5924
9659.24
250
¥91.8238
22955.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57006-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 18-72MHZ 2.5V/3.3V TS EMI
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0173
3,000:¥4.9155
参考库存:9736
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF7S24250N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥1,100.959
5:¥1,079.602
10:¥1,043.9505
25:¥999.7675
250:¥896.4177
参考库存:26510
无线和射频半导体
PIN 二极管 8-12.4GHz NF 7.5dB
1:¥653.14
10:¥599.352
25:¥537.88
50:¥476.408
100:¥398.1894
参考库存:4233
无线和射频半导体
调谐器 TDA18215HN/HVQFN32//C1/REEL 13 Q1 DP
1:¥12.5995
10:¥10.6785
100:¥8.6106
500:¥7.4806
6,000:¥5.5596
参考库存:32965
无线和射频半导体
射频检测器 Crest Factor Detector 800MHz-3.8GHz
1:¥96.3551
10:¥87.4394
25:¥82.1397
50:¥79.1452
参考库存:22112
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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