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无线和射频半导体
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PD57006S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥124.4017
124.4017
10
¥114.4125
1144.125
25
¥109.6552
2741.38
100
¥96.5924
9659.24
250
¥91.8238
22955.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57006-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPF4538SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 5GHz 802.11a/n/ac FEM
1:¥50.1042
25:¥43.2564
100:¥36.499
参考库存:6179
ADF5901WCCPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
射频发射器 24GHz Tx MMIC: VCO_PGA+ dual PA
1:¥310.6596
10:¥291.8338
50:¥277.9348
250:¥254.1144
参考库存:5646
TDA7786C
STMicroelectronics
无线和射频半导体
调谐器 MID INFOTAINMENT
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
参考库存:9388
ARF1519
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥5,122.4595
5:¥4,800.805
参考库存:4680
CY23EP09ZXC-1H
Cypress Semiconductor
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3VZDB COM
1:¥101.1237
10:¥91.9029
25:¥84.9873
50:¥78.1508
参考库存:5597

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    50万现货SKU

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