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无线和射频半导体
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AFT18S230SR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6
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数量单价合计
250
¥714.838
178709.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
增益
21 dB
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-6
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
系列
AFT18S230S
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
935311128128
单位重量
4.611 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF300BN
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF300BN/SIL3///TUBE MULTIPLE NDP
1:¥273.7764
5:¥259.9452
10:¥255.493
25:¥231.5935
参考库存:3233
BGS14PN10E6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
RF 开关 IC
1:¥5.6839
10:¥4.7008
100:¥3.0397
1,000:¥2.4295
7,500:¥1.9775
参考库存:40760
PN7360AUHN/C300E
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PN7360AUHN/HVQFN64//C300/TRAY SINGLE DP BAKEABLE
1:¥64.4665
10:¥58.2402
25:¥55.5508
100:¥48.251
参考库存:4927
MRF24301HR5
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 32V LDMOS 300 W CW 2400-2500 MHz
1:¥1,551.0154
5:¥1,516.3583
10:¥1,485.3963
25:¥1,463.4178
50:¥1,170.0472
参考库存:2709
HMC8193LC4
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 Mixers
1:¥391.884
5:¥380.0529
10:¥368.1427
25:¥356.3116
参考库存:3191

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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