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产品分类

无线和射频半导体

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MRF7S15100HSR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S
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库存:57,796(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥830.3353
207583.825
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S
封装
Reel
配置
Single
高度
4.32 mm
长度
20.7 mm
系列
MRF7S15100H
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.91 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
零件号别名
935317045128
单位重量
4.763 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器
1:¥1,475.328
参考库存:56128
无线和射频半导体
射频放大器 x2 Active mult SMT, 24 - 33 GHz Fout
14:¥398.6414
25:¥385.8159
100:¥357.532
250:¥347.2377
参考库存:7503
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2,500:¥19.8993
参考库存:56135
无线和射频半导体
射频放大器 100W S-band Power Amplifier
1:¥7,530.32
参考库存:56140
无线和射频半导体
射频放大器 20-500MHz NF 7.5dB VSWR 1.50:1
1:¥12,530.683
参考库存:56145
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    50万现货SKU

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