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无线和射频半导体
MRF8P29300HR6参考图片

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MRF8P29300HR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230
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库存:57,946(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥2,665.8847
399882.705
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13.3 dB
输出功率
320 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
2.7 GHz to 2.9 GHz
系列
MRF8P29300H
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
零件号别名
935319706128
单位重量
13.193 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管
70:¥93.1346
100:¥90.4452
250:¥82.4448
500:¥77.1451
参考库存:59775
无线和射频半导体
PIN 二极管
100:¥68.7718
250:¥62.7037
500:¥58.6244
1,000:¥53.788
参考库存:59780
IDT
无线和射频半导体
调节器/解调器
50:¥14,658.8459
参考库存:59785
无线和射频半导体
射频前端 4.9-5.925GHz NF 1.7dB Gain 13.5dB
1:¥10.3734
25:¥9.5259
100:¥8.2942
250:¥6.9156
2,500:¥4.5313
参考库存:23021
无线和射频半导体
射频收发器 868 - 928 MHz 32 dB gain
2,500:¥26.9731
参考库存:59792
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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