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无线和射频半导体
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D2213UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2OW-12.5V-1GHz PP
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数量单价合计
1
¥1,009.3725
1009.3725
10
¥891.2649
8912.649
25
¥790.9887
19774.7175
50
¥749.6533
37482.665
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
20 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DK
配置
Dual
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
83 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.5 V to 7 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MW5IC970NBR1
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频放大器 HV5IC 900MHZ 70W TO272WB
500:¥579.5318
参考库存:54513
QPB8896SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 Return Path Amp
1:¥46.104
25:¥43.0304
100:¥39.9568
200:¥36.8832
参考库存:54518
RF5755TR7
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 2.4- 2.5 GHz 20 dBm, 27 dB
1:¥26.5098
250:¥24.3628
500:¥21.2101
1,000:¥17.6732
2,500:¥14.1363
参考库存:54523
ATMEGA1281R212-MU
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU ATmega 1281V-8MU AT86RF212-ZU
1:¥111.2598
10:¥101.2028
25:¥93.5866
50:¥89.5977
参考库存:54528
LT5520EUF#PBF
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 1.3GHz to 2.3GHz Upconverting Mixer
1:¥77.066
25:¥51.1777
100:¥42.3411
250:¥40.1828
参考库存:54533

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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