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无线和射频半导体
BF 888 H6327参考图片

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BF 888 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存:58,480(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3222
33.222
100
¥2.0227
202.27
1,000
¥1.5707
1570.7
3,000
¥1.3334
4000.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BF888
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
250
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
13 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
RF Bipolar Power
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BF888H6327XT BF888H6327XTSA1 SP000745170
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频前端 5GHz FEM
1:¥18.9049
100:¥18.9049
200:¥17.3681
参考库存:50920
无线和射频半导体
射频收发器 2.4GHz SoC RF Xcvr 48 Pin 1.9-3.6V
1:¥47.1775
10:¥43.2564
25:¥39.3466
100:¥35.3464
参考库存:50925
无线和射频半导体
射频发射器 315MHz FSK Transmitter
1:¥15.368
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
3,000:¥6.6896
参考库存:50930
无线和射频半导体
射频放大器 50-4000MHz NF 4dB Gain 15dB
100:¥10.4525
参考库存:50935
无线和射频半导体
上下转换器 65MSPS Digital Rcvr Signal Processor
500:¥200.5524
参考库存:50940
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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