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无线和射频半导体
A2T21H140-24SR3参考图片

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A2T21H140-24SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H140-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:59,004(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥399.4098
399.4098
5
¥390.4263
1952.1315
10
¥375.2052
3752.052
25
¥363.1481
9078.7025
250
¥326.796
81699
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17.4 dB
输出功率
36 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935340104128
单位重量
4.672 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC CC3200 Wi-Fi QFN 256K Tray
1:¥81.2244
10:¥73.3822
25:¥67.9243
100:¥60.7827
参考库存:5658
无线和射频半导体
射频放大器 4.9-5.9GHz Gain 16dB 802.11a/n/ac NF1.5dB
1:¥9.0626
10:¥7.2885
100:¥5.6048
500:¥4.9494
3,000:¥3.4691
参考库存:26030
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:49612
无线和射频半导体
衰减器 1800-2.5GHz IL 2.4dB Atten. Range 42dB
1:¥20.2835
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.4469
3,000:¥8.6106
参考库存:8359
无线和射频半导体
衰减器 6-bit DAT with 0.25dB LSB, DC-6GHz
1:¥147.6119
10:¥135.7017
25:¥130.0856
100:¥114.6498
参考库存:5426
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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