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无线和射频半导体
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STAC4932B

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR 1000w/m 26dB N-Ch 123 MHz VHF/UHF
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1
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919.0064
5
¥902.1016
4510.508
10
¥861.5346
8615.346
25
¥832.7874
20819.685
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参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 mA
Vds-漏源极击穿电压
200 V
增益
26 dB
输出功率
1.2 kW
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC244B
封装
Tray
配置
Dual Common Source
工作频率
250 MHz
系列
STAC4932B
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
6 S
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
80
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STM32WB55RCV6
STMicroelectronics
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