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产品分类

无线和射频半导体

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AFT23H200-4S2LR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L
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库存:39,792(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥732.127
109819.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
输出功率
200 W
封装
Cut Tape
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2300 MHz
系列
AFT23H200_4S2L
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
零件号别名
935311216128
单位重量
8.576 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管
20:¥321.4963
25:¥297.2917
50:¥287.9918
100:¥278.7032
参考库存:57402
无线和射频半导体
PIN 二极管
20:¥321.4963
25:¥297.2917
50:¥287.9918
100:¥278.7032
参考库存:57407
无线和射频半导体
上下转换器 37-40GHz Downconverter
100:¥375.6685
200:¥364.9109
参考库存:57412
无线和射频半导体
射频放大器 100-600MHz NF:3.0dB Gain: 28.2dB
10:¥2,932.6777
参考库存:57417
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC BGA125 dual 20 dB proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO SoC
2,500:¥75.3032
参考库存:57422
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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