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无线和射频半导体
MRF8P20140WHR3参考图片

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MRF8P20140WHR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4
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库存:40,935(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥700.0124
175003.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
16 dB
输出功率
24 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.88 GHz to 2.025 GHz
系列
MRF8P20140WH
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935310716128
单位重量
6.447 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC 5-6000MHz SPDT
1:¥17.9783
25:¥13.8312
100:¥10.7576
参考库存:10869
无线和射频半导体
射频无线杂项 Antenna tuning circuit with TURBO & GLIDE
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.0738
5,000:¥5.2545
参考库存:30126
无线和射频半导体
射频放大器 x2 Active mult SMT, 18 - 29 GHz Fout
1:¥384.8102
5:¥373.1373
10:¥361.4531
25:¥349.848
100:¥324.1857
200:¥314.8858
参考库存:5883
IDT
无线和射频半导体
射频放大器 Digital Var Gain Amp 13dB 400 TO 2700 MHz
1:¥88.592
10:¥79.7554
25:¥72.6929
50:¥67.3141
参考库存:8185
无线和射频半导体
PIN 二极管 IL .1dB @-10dBm Max CW Pwr 3W
100:¥18.0574
300:¥16.2155
500:¥15.368
1,000:¥12.9046
2,500:¥12.1362
参考库存:6402
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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