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无线和射频半导体
HMC409LP4ETR参考图片

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HMC409LP4ETR

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 1 Watt pow amp SMT, 3.3 - 3.8 GHz
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库存:41,741(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥114.0283
57014.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-24
类型
Power Amplifier
技术
GaAs InGaP
工作频率
3.3 GHz to 3.8 GHz
P1dB - 压缩点
30.5 dBm
增益
31.5 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
5.8 dB
OIP3 - 三阶截点
45.5 dBm
工作电源电流
615 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC409
封装
Reel
产品
InGaP/GaAs HBT
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
15 dB
Pd-功率耗散
3.74 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
1 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频无线杂项 Digital Baseband Chip for outdoor LoRaWAN macro gateways
1:¥452.5876
5:¥438.9146
10:¥425.1512
25:¥416.9361
500:¥329.1803
参考库存:4434
无线和射频半导体
射频发射器 315 433 868 915 MHz 射频发射器
1:¥20.7468
10:¥18.6676
100:¥15.2889
250:¥14.2945
2,500:¥10.3734
参考库存:19006
无线和射频半导体
射频放大器 .05-4GHz SSG 12.8dB NF .8dB GaAs
1:¥31.7304
25:¥24.2837
100:¥18.984
250:¥15.7522
1,000:¥12.3735
参考库存:26838
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
250:¥315.044
参考库存:4165
无线和射频半导体
射频放大器 3-6GHz GaAs Gain 18.6dB
1:¥26.1256
10:¥24.8148
100:¥22.8938
250:¥20.2835
2,500:¥8.7575
参考库存:8077
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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