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无线和射频半导体
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PTFB091507FH-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥518.67
25933.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
20 dB
输出功率
160 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-34288-4/2
封装
Reel
工作频率
920 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI1060-A-GMR
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +20 dBm
2,500:¥31.1202
参考库存:46365
EZR32HG320F32R67G-B0
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 32 kB M0+, USB, +13 dBm EZRadioPRO, QFN48 wireless MCU
416:¥26.2838
832:¥24.8148
1,248:¥24.4306
参考库存:46370
EFR32FG12P433F1024GL125-C
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC BGA125 dual 20 dB proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO SoC
260:¥75.3032
参考库存:46375
HMC840LP6CETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PLL+ VCO MCM 2300-2760 MHz
500:¥95.2025
1,000:¥83.4505
参考库存:46380
QPB9337SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 1.8-3.8 GHz Dual Channel Switch LNA Module
100:¥131.1704
参考库存:46385

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