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无线和射频半导体
AFT18P350-4S2LR6参考图片

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AFT18P350-4S2LR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
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库存:44,031(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥1,151.7525
172762.875
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
16.1 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
系列
AFT18P350_4S2L
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
1.2 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
零件号别名
935317727128
单位重量
8.518 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PCF7953ATT/TSSOP28//M1AC1500/REEL 13 Q1 NDP
1:¥47.799
10:¥43.1886
25:¥41.1885
100:¥35.8097
2,500:¥26.1256
参考库存:49858
无线和射频半导体
调节器/解调器 Dual DVB-T2/T/C Digital Demodulator
1:¥94.355
10:¥88.8293
25:¥86.0608
50:¥83.2132
参考库存:49863
无线和射频半导体
射频放大器 .05-4GHz SSG 12.9dB NF .8dB GaAs
100:¥13.9103
参考库存:49868
无线和射频半导体
射频接收器 300 to 930MHz FSK/ASK Receiver multi channel, SPI programmable -
1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥22.9729
参考库存:49873
无线和射频半导体
射频放大器 LNA HIP3 5-9GHz
2:¥592.8997
6:¥583.5207
10:¥563.2372
26:¥544.7165
参考库存:49878
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    50万现货SKU

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