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无线和射频半导体
MRF8VP13350GNR3参考图片

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MRF8VP13350GNR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250
¥1,033.1929
258298.225
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 100 V
增益
19.2 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780G-4
封装
Reel
工作频率
700 MHz to 1300 MHz
系列
MRF8VP13350
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935320727528
单位重量
3.065 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADL5387ACPZ-WP
Analog Devices
无线和射频半导体
调节器/解调器 30MHz-2GHz Quadrature
1:¥85.1342
10:¥77.2242
25:¥72.6138
50:¥69.9244
参考库存:1341
PD55008S-E
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
250:¥89.1344
参考库存:2228
QPF4519SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 WiFi FEM 802.11a/n/ac
1:¥37.0414
25:¥34.578
100:¥34.578
200:¥31.7304
500:¥27.6624
参考库存:1515
RF5521SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 2.4-2.5GHz FEM
1:¥9.9101
100:¥9.9101
200:¥9.1417
参考库存:1722
D1029UK
Semelab / TT Electronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 350W-28V-175MHz PP
1:¥1,916.2314
10:¥1,692.0959
25:¥1,535.2632
50:¥1,439.9816
参考库存:1324

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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