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无线和射频半导体
HMC329ALC3BTR参考图片

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HMC329ALC3BTR

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库存:47,121(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥335.949
33594.9
200
¥326.2649
65252.98
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频混合器
RoHS
射频
24 GHz to 32 GHz
转换损失——最大
13.5 dB
NF—噪声系数
12 dB
LO频率
24 GHz to 32 GHz
中频
DC to 8 GHz
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LCC-12
封装
Reel
系列
HMC329
技术
GaAs
商标
Analog Devices / Hittite
开发套件
EV1HMC329ALC3B
OIP3 - 三阶截点
20 dBm
P1dB - 压缩点
12 dBm
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Mixer
工厂包装数量
100
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 Fully Int 13.56MHz RFID/NFC Xcvr
1:¥39.4144
10:¥35.4255
100:¥29.041
250:¥27.2782
3,000:¥19.8202
参考库存:81408
无线和射频半导体
锁相环 - PLL High Speed CMOS w/VCO & Lock Detect
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5995
2,500:¥9.6841
参考库存:8700
无线和射频半导体
射频放大器 Low Distortion 3V 41mA Diff Amp
1:¥63.6981
10:¥57.3249
25:¥53.8671
50:¥50.6353
1,500:¥34.6571
参考库存:8912
无线和射频半导体
射频放大器 LNA, HIP3, 6-17GHz
1:¥273.4713
5:¥258.4875
10:¥252.2612
25:¥226.7571
参考库存:4764
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230
1:¥2,059.0069
5:¥2,013.1289
10:¥1,971.9404
25:¥1,942.8203
50:¥1,872.2857
参考库存:2871
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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