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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频放大器
发货限制：	此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS	是
类型	Power Amplifier
技术	GaAs
工作频率	37 GHz to 40 GHz
P1dB - 压缩点	29.5 dBm
增益	24 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	-
测试频率	37 GHz to 40 GHz
工作电源电流	600 mA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	TGA
封装	Tray
商标	Qorvo
输入返回损失	20 dB
Pd-功率耗散	6.5 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大	6.5 V
零件号别名	1074487

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MCR20AVHM	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 MCR20AVHM/VQFN41R///TRAY MULTIPLE DP BAKEABLE	1:¥26.2047 10:¥24.0464 25:¥21.8203 100:¥19.6733	参考库存:4457
BFR106E6327HTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR	1:¥2.9154 10:¥2.2374 100:¥1.2091 1,000:¥0.90626 3,000:¥0.78422 9,000:¥0.72998	参考库存:50569
TAT7427B-T1	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 RFIC Amplifier 50-1300 MHz 75 Ohm	1:¥46.104 25:¥39.1884 100:¥33.4254 250:¥26.5098 1,000:¥17.289	参考库存:4001
HMC-ALH382	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 GaAs HEMT lo Noise amp, 57 - 65 GHz	50:¥381.7366 100:¥353.7691 250:¥343.633	参考库存:1918
2SK3475TE12LF	Toshiba	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS	1:¥17.4472 10:¥14.0572 100:¥11.2209 500:¥9.831 1,000:¥8.1473	参考库存:5415