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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	360 mA
输出功率	4.8 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113815

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HMC572-SX	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	上下转换器 MMIC I/Q mix 24 - 27 GHz	2:¥842.8557 6:¥815.6566 10:¥799.362 26:¥766.7841	参考库存:1214
MAX19790ETX+	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 250MHz - 4000MHz Attenuator	1:¥94.7392 10:¥85.7557 25:¥74.0715 100:¥72.0036	参考库存:1536
BGA2866,115	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 6CH MMIC Amp 3.9 dB 5V 17.4mA 3.3GHz	1:¥1.8419 10:¥1.4916 100:¥1.01474 1,000:¥0.79891 3,000:¥0.59212	参考库存:27778
HMC642ALC5	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	相位探测器 / 移相器 9-12.5 GHz 6-bit digital phaseshifter	1:¥1,338.2477 5:¥1,319.3428 10:¥1,281.6121 25:¥1,215.6879	参考库存:1210
SMA3103-TL-E	ON Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 WIDEBAND AMPLIFIER	1:¥3.3787 10:¥2.7798 100:¥1.695 1,000:¥1.3108 3,000:¥1.11418	参考库存:39252