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无线和射频半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	360 mA
输出功率	4.8 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113815

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STA2165X2	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	调谐器 MID INFOTAINMENT	504:¥91.2136 1,008:¥83.5974	参考库存:51097
GC4491-00	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管	100:¥90.5921 250:¥82.603 500:¥77.2242 1,000:¥70.851	参考库存:51102
SM4G	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频混合器 LO 800-3500MHz IF DC-1500MHz	20:¥818.346	参考库存:51107
MF1S7030XDA4/V1J	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	RFID应答器 Mainstrm contactless smart card IC	16,500:¥6.5879	参考库存:51112
ISM20732S-TR	Inventek	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC BLE 4.2 SiP	2,500:¥29.8094	参考库存:51117

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