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无线和射频半导体
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GTVA261701FA-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥1,097.7385
54886.925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
输出功率
170 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37265J-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth, BLE and IEEE 802.15.4
1:¥21.5152
10:¥19.21
25:¥17.289
100:¥15.7522
参考库存:55574
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp Chip, 2 - 4 GHz
50:¥226.9831
100:¥215.6153
250:¥205.7052
参考库存:55579
无线和射频半导体
衰减器 Fixed Passive SMT atten, DC - 25 GHz
500:¥33.2672
1,000:¥28.9732
2,500:¥27.8884
参考库存:55584
无线和射频半导体
射频混合器 71-86GHz SHP IQ mix
50:¥504.3755
100:¥470.1026
参考库存:55589
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp Chip, 2 - 4 GHz
25:¥319.1911
100:¥298.6025
250:¥288.3082
参考库存:55594
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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