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无线和射频半导体
PD57018STR-E参考图片

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PD57018STR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
600
¥178.1106
106866.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.5 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
760 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
18 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57018-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
31.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GRF2541
Guerrilla RF
无线和射频半导体
射频放大器 5GHz 802.11a/n/ac/p Gain 16.4dB
1:¥21.5152
10:¥20.4417
100:¥18.9049
250:¥16.6788
2,500:¥7.2094
参考库存:15732
LA72914V-TLM-H
ON Semiconductor
无线和射频半导体
调节器/解调器 FM MODULATOR DEMODULATOR
1:¥50.7935
10:¥43.1886
100:¥37.4256
250:¥35.5046
2,000:¥25.5154
参考库存:14094
MAX2612ETA+T
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频放大器 Broadband Gain Block
1:¥23.6622
10:¥22.3627
25:¥17.8992
50:¥16.9839
2,500:¥10.7576
参考库存:16901
ATSAMR21G18A-MU
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU SAMR21 48pin 256K
1:¥37.4256
10:¥36.8832
25:¥34.0356
参考库存:7528
HMC425ALP3E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
衰减器 衰减器
1:¥205.2419
5:¥194.021
10:¥189.3315
25:¥170.2006
参考库存:5700

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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