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无线和射频半导体
PD57018STR-E参考图片

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PD57018STR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
600
¥178.1106
106866.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.5 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
760 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
18 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57018-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
31.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAX19791ETX+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
衰减器 50MHz to 4000MHz Dual Analog Voltage Variable Attenuator with On-Chip 10-Bit SPI-Controlled DAC
1:¥185.3426
10:¥174.9692
25:¥139.8488
参考库存:2382
TLC2932IPWR
Texas Instruments
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PHASE LOCKED LOOP
1:¥35.7306
10:¥32.1146
100:¥26.3516
250:¥24.747
2,000:¥17.9783
参考库存:4869
SMA1
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 5-500MHz NF 2.4dB Gain 16dB
1:¥914.622
参考库存:24553
HMC536MS8GETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
RF 开关 IC 3 Watt SPDT T/R Switch SMT, DC - 6 GHz
1:¥49.8669
10:¥44.8723
100:¥36.725
250:¥34.8831
500:¥31.2784
参考库存:2721
M24SR04-YMC6T/2
STMicroelectronics
无线和射频半导体
RFID应答器 4-Kbit Dynamic NFC RFID tag EEProm
1:¥8.6106
10:¥7.3111
100:¥5.6161
500:¥4.9607
5,000:¥3.4013
参考库存:16503

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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