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无线和射频半导体
PXAC192908FV-V1-R250参考图片

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PXAC192908FV-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:50,810(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,036.2665
259066.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
增益
14 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
1930 MHz to 1995 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 64 kB M3, +13dBm Pro2+, QFN64 wireless MCU
260:¥32.1937
520:¥30.4309
1,040:¥29.9676
参考库存:42643
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU WICED WiFi SoCs Combos
5,000:¥60.1612
参考库存:42648
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Bluetooth SoC QFN32 2.4 G Extended 10.5 dB BLE Multi-Protocol 256 kB 32 kB (RAM) 16GPIO
260:¥36.725
520:¥35.8097
参考库存:42653
无线和射频半导体
RF 开关 IC 5-6000MHz SP6T
100:¥8.6106
参考库存:42658
无线和射频半导体
上下转换器 Microwave HIR
250:¥619.4886
参考库存:42663
  • 海量现货

    50万现货SKU

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    保证原装正品

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