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无线和射频半导体
A3T21H400W23SR6参考图片

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A3T21H400W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存：51,202(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥829.9511
124492.665
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
系列
A3T21H400W23
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V, 1.4 V
零件号别名
935372908128
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A3010
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 .01-2500MHz NF 4.5dB Gain 9.5dB
1:¥1,555.7049
参考库存:3401
MASW-004100-11930W
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC 50-26000MHz -65C +125C Iso 65dB
50:¥102.2763
参考库存:3853
ATMEGA64RFR2-ZF
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 2.4GHZ 802.15.4 64K SOC Ind 125C
1:¥44.4881
10:¥43.8779
25:¥40.6461
参考库存:4655
MRF160
MACOM
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥218.2256
10:¥209.8523
参考库存:3567
HMC595AE
Analog Devices
无线和射频半导体
RF 开关 IC GaAs MMIC T/R Switch, DC - 3 GHz
1:¥47.1775
10:¥42.6462
50:¥40.6461
100:¥35.3464
参考库存:3734

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