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无线和射频半导体
PXAC201602FC-V1-R250参考图片

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PXAC201602FC-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥597.1259
149281.475
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
175 mOhms
增益
17.7 dB
输出功率
140 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
1880 MHz to 1920 MHz , 2010 MHz to 2025 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
M93C
MACOM
无线和射频半导体
射频混合器
1:¥4,044.1683
参考库存:27426
28445
Parallax
无线和射频半导体
RFID应答器 RFID Logi 120 Disc 12.4mm
1:¥19.1309
参考库存:5269
LMV228SD/NOPB
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频检测器 NRND no replacement
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.7631
500:¥6.8026
1,000:¥5.3675
参考库存:8386
M50C
MACOM
无线和射频半导体
射频混合器
1:¥3,950.5704
参考库存:27435
MASWSS0179TR-3000
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-2.0GHz IL <.5dB@900MHz
1:¥6.6105
10:¥5.1528
100:¥3.8985
500:¥3.3222
3,000:¥2.1809
参考库存:65138

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