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无线和射频半导体
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D2008UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-400MHz SE
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库存:51,347(价格仅供参考)
数量单价合计
120
¥213.6152
25633.824
270
¥208.6206
56327.562
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
配置
Single
高度
4.95 mm
长度
9.4 mm
工作频率
400 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
29 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=1.3nH Cp=.11pF Single SOD-323
9,000:¥2.0001
24,000:¥1.921
参考库存:43249
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥518.67
参考库存:43254
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3-PLL Clk Syn COM
2,500:¥54.1722
参考库存:43259
无线和射频半导体
射频放大器 0.3 to 2.2 GHz High Ultra LNA
3,000:¥7.9891
6,000:¥7.684
9,000:¥7.4354
参考库存:43264
IDT
无线和射频半导体
衰减器 F1969 RF Switch
2,500:¥54.4773
参考库存:43269
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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