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无线和射频半导体
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GTVA263202FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥1,866.1385
93306.925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
输出功率
340 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
配置
Dual Common Source
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 5-300MHz NF 3.8dB Gain 18.5dB
10:¥1,773.083
参考库存:39282
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 32 kB M0+, USB, +17 dBm EZRadioPRO, QFN48 wireless MCU
416:¥25.8996
832:¥24.4306
1,248:¥24.0464
参考库存:39287
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥1,996.0772
10:¥1,967.7933
25:¥1,940.8202
50:¥1,807.8192
参考库存:39292
IDT
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Gigabit Ethernet PLL
168:¥342.7064
参考库存:39297
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 2.7-2.9GHz Gain7.6dB 115W VSWR: 2.1
5:¥2,516.4309
参考库存:39302
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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