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无线和射频半导体
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D1027UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-28V-175MHz PP
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数量单价合计
50
¥1,279.612
63980.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
13 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DR
配置
Dual
高度
5.08 mm
长度
34.03 mm
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
22.22 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
438 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频混合器 Integrated DPD Mixer with WB Synth
1:¥179.1163
5:¥173.116
10:¥166.901
25:¥158.9006
750:¥144.9225
参考库存:4603
无线和射频半导体
调节器/解调器 1.5GHz - 2.5GHz Quadrature Demodulator
1:¥73.3822
25:¥48.7143
100:¥40.2619
250:¥38.2618
参考库存:2135
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 300 W CW 50 V
1:¥513.7545
5:¥498.7707
10:¥488.0922
25:¥467.5714
500:¥402.0992
参考库存:24099
无线和射频半导体
射频放大器 5-6 GHz 60 Watt GaN Power Amplifier
1:¥6,101.096
参考库存:1852
无线和射频半导体
射频放大器 3.4-3.8GHz SiGe Predriver
1:¥27.7415
10:¥26.3516
25:¥20.2835
50:¥17.289
参考库存:3554
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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