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无线和射频半导体
PD57006TR-E参考图片

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PD57006TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:52,867(价格仅供参考)
数量单价合计
600
¥85.9026
51541.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57006-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.7686
10:¥3.1866
100:¥1.7854
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:23433
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls-1.5nH SOT-23 Series Pair
1:¥7.9891
10:¥7.2207
25:¥6.2489
100:¥5.6274
3,000:¥3.3222
参考库存:26280
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
1:¥12.9046
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2546
1,000:¥6.0116
参考库存:10352
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB
1:¥230.5991
10:¥227.1413
参考库存:33570
无线和射频半导体
RFID应答器 ICODE SLIX-L
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
5,000:¥1.1752
参考库存:56574
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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