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无线和射频半导体
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D2294UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 15W-12.5V-500MHz SE
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¥529.2016
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
11 dB
输出功率
15 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-171-6
配置
Single
高度
7.11 mm
长度
24.77 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.84 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC751LC4TR
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 17 - 27 GHz
100:¥324.9541
200:¥315.5864
参考库存:53247
AD6674BCPZ-1000
Analog Devices
无线和射频半导体
射频接收器 100/200MHz Dual Band Div.IF Rec 204B
1:¥5,707.291
5:¥5,628.304
参考库存:53252
NJM2292V-TE1
NJR
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射频无线杂项 Narrow Band FM IF IC
1:¥9.2208
10:¥8.2264
25:¥6.9156
50:¥6.2037
2,000:¥5.537
参考库存:53257
SD3932
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥1,246.729
5:¥1,216.7614
10:¥1,186.4887
25:¥1,169.889
参考库存:53262
AFT26H160-4S4R3
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF7 2.6GHZ NI880X-4L4S
250:¥704.3177
参考库存:53267

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