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无线和射频半导体
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PTRA093302FC-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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数量单价合计
250
¥768.40
192100
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
增益
17.25 dB
输出功率
330 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
746 MHz to 768 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CS8537AA
Cypress Semiconductor
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PRoC BLE
260:¥59.551
520:¥55.709
1,040:¥51.0986
参考库存:45656
BA679-M-08
Vishay Semiconductors
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN DIODE SOD80 MINIMELF-e2-M
12,500:¥0.76049
25,000:¥0.69947
参考库存:45661
SI4706-D50-GMR
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频接收器 FM RDS/TMC enhanced, short antenna capable
2,500:¥24.8939
参考库存:45666
HMC464-SX
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 I.C., 2-20 GHz WBand PA Die
2:¥2,646.7538
6:¥2,618.549
10:¥2,567.2244
26:¥2,547.472
参考库存:45671
RF5365TR7
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 2400-2500MHz Pout 17.5 dBm
2,500:¥8.3733
5,000:¥6.8365
10,000:¥5.2206
参考库存:45676

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