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无线和射频半导体
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D1213UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 6W-7.2V-500MHz SE
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参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
6 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DBC1-8
配置
Single
高度
3.25 mm
长度
6.47 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
8.43 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
58 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.5 V to 7 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2V09H400-04NR3
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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参考库存:40947
MRF6VP121KHSR5
NXP / Freescale
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RFFM8250TR7
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射频前端 2412-2484MHz 13dB, 5dBm
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10,000:¥2.5312
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EFR32BG12P433F1024GL125-C
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC BGA125 dual 19 dB BLE/proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO
260:¥82.603
参考库存:40962
PXAC201602FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:40967

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