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无线和射频半导体
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D2031UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V-1GHz SE
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¥422.0098
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
7.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
F-0127-8
配置
Single
高度
2.31 mm
长度
6.5 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.5 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.5 V to 7 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC797A-SX
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 Amplifiers Sample Pack
2:¥2,322.5681
6:¥2,289.7529
10:¥2,224.3598
26:¥2,109.8682
参考库存:2032
SST12LP15A-QVCE
Microchip Technology
无线和射频半导体
射频放大器 2.4Ghz Power Amp
1:¥8.6784
10:¥8.4524
25:¥7.0738
100:¥6.1472
参考库存:2514
A2T23H300-24SR6
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H300-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,128.2372
5:¥1,103.0382
10:¥1,080.5286
25:¥1,064.5391
150:¥1,002.8411
参考库存:24318
S10040220P
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 40-1000MHz Gain 22dB NF 2.5dB GaAs
1:¥223.2993
25:¥210.3156
100:¥198.8574
250:¥187.4896
参考库存:2516
CPLL66-2450-2450
Crystek Corporation
无线和射频半导体
锁相环 - PLL RF PLL SYNTHESIZER 0.60" SQ SMD
1:¥410.9358
5:¥390.4263
10:¥369.8264
25:¥328.717
参考库存:2048

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