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无线和射频半导体
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PTFB183404F-V2-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250
¥1,281.0019
320250.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
17 dB
输出功率
340 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-6/2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STAC150V2-350E
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Transistor 40.68 MHz 700V
1:¥756.874
参考库存:52383
MCP2030T-I/ST
Microchip Technology
无线和射频半导体
射频前端 Keyless Entry AFE
1:¥17.4472
10:¥17.2099
25:¥14.5205
100:¥13.221
2,500:¥13.221
参考库存:52388
RFSA3513SR
Qorvo
无线和射频半导体
衰减器 5-6000MHz DSA 5 bit 31dB Range 1dB step
100:¥17.6732
参考库存:52393
A2V07H400-04NR3
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V07H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥744.1163
参考库存:52398
PSB83513MV12 S LLVN
Intel
无线和射频半导体
射频收发器 XCVR IC
1:¥54.5564
25:¥52.0252
50:¥49.7878
100:¥47.6408
200:¥45.7198
参考库存:52403

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