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无线和射频半导体
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PXAC192908FV-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥1,036.2665
51813.325
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
增益
14 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
1930 MHz to 1995 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GTVA107001EC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
1:¥6,372.7254
50:¥6,372.7254
参考库存:4746
MAX19996ETP+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
上下转换器 High-Gain 2GHz to 3.9GHz Downconv
1:¥167.8954
10:¥159.5221
25:¥111.9604
50:¥89.2135
参考库存:4798
QPA2363CSR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 50-4000MHz 3V SiGe Gn 12dB -40C +105C
1:¥17.8992
25:¥13.447
100:¥10.4525
参考库存:4725
QPA4363ASR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 DC-3.5GHz NF 3.0dB Gain 14.8dB
1:¥21.7412
25:¥16.3624
100:¥12.7577
参考库存:4672
SE5502L-R
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频前端 2.4/5.0GHz Dual Band WLAN
1:¥32.0468
10:¥28.589
25:¥25.7414
100:¥23.4362
3,000:¥14.4414
参考库存:5174

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