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无线和射频半导体
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D2017UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz SE
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¥265.5613
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Flangeless DP
配置
Single
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
29 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CYW20707UA1KFFB4GT
Cypress Semiconductor
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth, BLE and IEEE 802.15.4
2,500:¥20.1366
参考库存:39532
MASW-008075-TR3000
MACOM
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RF 开关 IC DC-3GHz IL: .5dB max -40C to +85C
102,000:¥0.9605
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HTSICC5601EW/C7:00
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66,000:¥1.2091
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CYW4339XKWBGT
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无线和射频半导体
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无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC ZigBee/802.15.4--512kBFlash+32kB RAM+32 GPIO
2,000:¥42.5671
参考库存:39552

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