您好!欢迎来到万象现货芯城 登录 注册

产品分类

无线和射频半导体
PD85006-E参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

PD85006-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:58,980(价格仅供参考)
数量单价合计
暂无价格,请联系询价
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD85006-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
36.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 824-1910MHz 34dB Gain
1:¥71.4612
25:¥54.7824
100:¥42.8044
250:¥35.5046
2,500:¥27.9675
参考库存:13703
无线和射频半导体
RF 开关 IC ANTENNA DEVICES
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
15,000:¥1.7289
参考库存:76680
无线和射频半导体
射频前端 CLRC66302HN/HVQFN32///REEL 13 Q1 NDP
1:¥63.7772
10:¥57.63
25:¥54.9406
100:¥47.7199
6,000:¥32.1937
参考库存:28743
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥6.3732
10:¥5.4805
100:¥4.2149
500:¥3.7177
1,000:¥2.938
3,000:¥2.938
参考库存:41632
无线和射频半导体
射频放大器 CATV Amp PI325, H34-PD-1218-23-DPD, Com
1:¥396.6526
25:¥373.5215
参考库存:2114
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市仓实科技有限公司

电话:13267088774

Email: service@cangshixc.com

Q Q:

地址:深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦3104


微信联系我们

Copyright © 2026 深圳市仓实科技有限公司版权所有 粤ICP备2025417305号

24小时在线客服
热线电话

13267088774

微信联系我们 微信扫码联系我们