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无线和射频半导体
A3G22H400-04SR3参考图片

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A3G22H400-04SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V
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库存:59,299(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥983.3938
245848.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
GaN
Id-连续漏极电流
29.7 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
15.3 dB
输出功率
79 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
工作频率
1800 MHz to 2200 MHz
系列
A3G22H400
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935370222128
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 RFID 4KB EEPROM TSS OP
1:¥19.21
10:¥16.2946
100:¥13.0628
500:¥11.3678
3,000:¥8.7575
参考库存:19672
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 32 BIT, 512K FLASH W/ USB
1:¥69.4611
10:¥62.7828
25:¥59.8561
100:¥51.9461
参考库存:6929
无线和射频半导体
射频放大器 2.3-3.8GHz GaAs Gain 19.3dB
1:¥26.1256
10:¥24.8148
100:¥22.8938
250:¥20.2835
2,500:¥8.7575
参考库存:17036
无线和射频半导体
射频前端 2.5GHz FEM
1:¥18.6676
250:¥17.1308
500:¥14.9838
1,000:¥12.4526
2,500:¥10.2943
参考库存:16828
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC BT5.0 QFN40 SoC
1:¥30.51
10:¥24.5097
100:¥22.3627
250:¥20.1366
5,000:¥13.9103
参考库存:20910
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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