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无线和射频半导体
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A2T08VD021NT1

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T08VD021N/HQFN24///REEL 13 Q2 DP
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
80 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
19.1 dB
输出功率
2 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-24
封装
Reel
工作频率
728 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935361777528
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CC2564NSRVMR
Texas Instruments
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射频收发器 Orca QFN BT + BLE
1:¥51.641
10:¥46.7142
25:¥43.2564
100:¥38.646
2,500:¥28.2726
参考库存:55621
A2T21H141W24SR3
NXP Semiconductors
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1:¥466.577
5:¥456.1245
10:¥438.2931
25:¥424.1568
250:¥381.8157
参考库存:55626
D5011UK
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1:¥243.2777
10:¥214.8469
25:¥194.9476
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AD9363ABCZ-REEL
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1,500:¥654.9819
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OS10040320PW-015
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射频放大器 40-1000MHz ORL 17dB In Return Loss 45dB
1:¥825.2616
参考库存:55641

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