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无线和射频半导体
GTVA107001EC-V1-R250参考图片

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GTVA107001EC-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
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库存:59,676(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥6,372.7254
1593181.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
10 A
输出功率
890 W
最大漏极/栅极电压
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-36248-2
封装
Reel
工作频率
960 MHz to 1.215 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 11-17GHz Gain 27dB P1dB 27dBm
1:¥338.096
25:¥315.044
参考库存:3630
无线和射频半导体
射频混合器 GaAs MMIC I/Q mix, 19 - 33 GHz
50:¥342.5482
100:¥320.4228
250:¥309.4392
参考库存:3847
无线和射频半导体
射频放大器 2.4 GHz ISM SiGe:C low-noise amp
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
4,000:¥1.8758
参考库存:66354
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
15,000:¥1.921
参考库存:78476
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU SAMR21 32pin 256K T&R
1:¥36.1148
10:¥35.5724
25:¥32.9621
5,000:¥30.8151
参考库存:4258
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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