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无线和射频半导体
A3T21H456W23SR6参考图片

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A3T21H456W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRNSTR 2110-2200 MHz 87W30V
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库存：59,842(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥911.0964
136664.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.6 A, 3.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.5 dB
输出功率
87 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
系列
A3T21H456
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V, 1.4 V
零件号别名
935371527128
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC8401
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 Die Sales
25:¥1,020.5934
50:¥1,014.288
参考库存:3736
TGA4532-SM
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 17.7-19.7GHz Pwr 32.5dBm NF 7dB
1:¥301.0546
25:¥255.9563
50:¥255.9563
100:¥218.3047
250:¥195.716
500:¥173.116
参考库存:3863
A35-1
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 2-2400MHz NF 4.2dB Gain 9.0dB
1:¥1,164.2051
参考库存:25917
HMC-APH462-SX
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT MMIC 1 Watt pow amp15-27GHz
2:¥1,664.2753
6:¥1,640.76
10:¥1,593.8876
26:¥1,511.827
参考库存:3970
A2T21H360-24SR6
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,358.9154
5:¥1,328.5636
10:¥1,301.4436
25:¥1,282.1545
150:¥1,207.8457
参考库存:25924

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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