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无线和射频半导体
PTFB182503FL-V2-R250参考图片

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PTFB182503FL-V2-R250

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库存:60,006(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥823.8039
205950.975
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
19 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-34288-4/2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK Engineering Hold
5,000:¥2.4182
10,000:¥2.3278
25,000:¥2.2374
参考库存:52917
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC QFN48 2.4 G 19 dB BLE/proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 31GPIO
2,500:¥64.6247
参考库存:52922
无线和射频半导体
射频收发器 Bluetooth Cntlr
5,000:¥27.8206
参考库存:52927
无线和射频半导体
PIN 二极管
25:¥1,364.2151
50:¥1,333.5582
参考库存:52932
无线和射频半导体
预定标器 2-4 GHz IL .50dB VSWR 1.35:1
10:¥5,317.4862
参考库存:52937
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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